Zmiennofazowy przełom Intela i Numonyksa
29 października 2009, 11:07Intel i Numonyx poinformowały o dokonaniu przełomu w technologii pamięci zmiennofazowych (PCM). Obie firmy pokazały testowy 64-megabitowy układ, w którym udało się umieścić liczne warstwy PCM na pojedynczej podstawce.
Sformatują pamięć łazika
1 września 2014, 16:36NASA przygotowuje się do sformatowania układu pamięci flash marsjańskiego łazika Opportunity. Do podjęcia takiej decyzji skłoniły Agencję coraz częstsze resety komputera pokładowego pojazdu. W samym sierpniu było ich ponad dziesięć
Mały Hynix
5 grudnia 2006, 09:30Hynix Semiconductor opracował najmniejszą i najszybszą kość DRAM o pojemności 512 megabitów. Układ przeznaczony jest dla urządzeń przenośnych.
Rekordowe spadki na rynku półprzewodników
26 lutego 2009, 12:25Gartner przewiduje, że w bieżącym roku światowy przemysł półprzewodnikowy będzie świadkiem olbrzymich spadków przychodów. Kryzys gospodarczy spowoduje, że będą one znacznie niższe, niż prognozowano jeszcze w połowie grudnia.
Dziesiątki miliardów USD w rozwój przemysłu półprzewodnikowego
5 marca 2018, 11:09Chiński rząd chce powołać nowy fundusz, którego zadaniem będzie finansowanie rozwoju krajowego przemysłu półprzewodnikowego. China Integrated Circuit Investment Fund Co. (CICIF) dostanie do dyspozycji 200 miliardów juanów, czyli 31,5 miliarda USD
Samsung umieścił sztuczną inteligencję wewnątrz układu pamięci
18 lutego 2021, 13:08Firma Samsung Electronics poinformowała o stworzeniu pierwszego modułu High Bandwidth Memory (HBM) zintegrowanego z modułem obliczeniowym wykorzystującym sztuczną inteligencję – HBM-PIM. Architektura processing-in-memory (PIM) umieszczona wewnątrz wysokowydajnych modułów pamięci ma służyć przede wszystkim przyspieszeniu przetwarzania danych
Ruszyła masowa produkcja 60-nanometrowych kości DRAM
4 marca 2007, 11:23Samsung Electronics rozpoczął masową produkcję pierwszych w historii 1-gigabitowych kości DDR2 wykonanych w technologii 60 nanometrów. Wdrożenie nowego procesu technologicznego oznacza 40% wzrost wydajności produkcji w porównaniu z technologią 80 nanometrów.
Dyski SSD o pojemności 128 GB
15 marca 2007, 14:20Firma Super Talent Technology, jeden liderów na rynku pamięci DRAM i flash poinformowała o przygotowaniu całej gamy dysków SSD (solid-state disk). Urządzenia wyposażono w interfejs SATA.
Pamięci RAM są rekordowo tanie
5 czerwca 2007, 11:18Część rynkowych analityków zwraca uwagę, że teraz jest najlepszy moment na kupno pamięci RAM. Ceny są rekordowo niskie i prawdopodobnie w najbliższych tygodniach będziemy świadkami ich gwałtownego wzrostu.
W jedności siła
28 stycznia 2008, 12:04Samsung i Hynix zawarły porozumienie, którego celem jest opracowanie układów pamięci przyszłej generacji. Obie firmy zainwestują w sumie 9,46 milionów dolarów, a ich prace będą częścią większego programu wspieranego przez rząd Korei Południowej.
