![](/media/lib/105/n-cf-600x-product_64gb-a3facec028e98e3ae710f4e93f630d16.jpg)
Ożywianie pamięci
3 grudnia 2012, 17:35Tajwańska firma Macronix poradziła sobie z największa wadą pamięci flash - jej niewielką żywotnością. Poszczególne komórki w pamięci flash przestają prawidłowo funkcjonować po około 10 000 cykli zapisu/odczytu. Inżynierowie z Macronix proponują rozwiązanie, które zwiększy żywotność flash do ponad 100 000 000 cykli.
![](/media/lib/338/n-osa2-dd2163c62e6022e8857225cef457760f.jpg)
Bezdech senny pozbawia ludzi szczegółów osobistych wspomnień
1 lutego 2019, 14:00Obturacyjny bezdech senny (ang. obstructive sleep apnea, OSA) sprawia, że pacjentom trudniej zapamiętać szczegóły z życia codziennego. Może się to przyczyniać do depresji.
Mały Hynix
5 grudnia 2006, 09:30Hynix Semiconductor opracował najmniejszą i najszybszą kość DRAM o pojemności 512 megabitów. Układ przeznaczony jest dla urządzeń przenośnych.
![](/media/lib/23/1204027567_526043-934336895053a081b811bd1f98831ba3.jpeg)
Rekordowe spadki na rynku półprzewodników
26 lutego 2009, 12:25Gartner przewiduje, że w bieżącym roku światowy przemysł półprzewodnikowy będzie świadkiem olbrzymich spadków przychodów. Kryzys gospodarczy spowoduje, że będą one znacznie niższe, niż prognozowano jeszcze w połowie grudnia.
Teoretyczna pamięć fononowa
8 stycznia 2009, 12:34Lei Wang i Baowen Li, naukowcy z Singapuru badają możliwość wyprodukowania urządzeń przechowujących dane, które miałyby działać nie dzięki zmianom napięcia, a zmianom temperatury (falom cieplnym).
![](/media/lib/69/usb3.0-express-ram-cache-9d6a80203dc88a84bb9a47efd201a00c.jpg)
Super Talent 100-krotnie przyspiesza USB?
9 września 2010, 11:05W ofercie firmy Super Talent znalazły się cztery klipsy USB korzystające z łącza w wersji 3.0. Dwa z nich wyposażono w pamięć podręczną DRAM, dzięki czemu, jak zapewnia producent, wydajność przy obsłudze dużej liczby niewielkich plików wzrosła o 300%.
![Układ DDR3© Super Talent](/media/lib/2/1171884397_353641-0481eeccc5c56aed5f3fef24d741f6dd.jpeg)
Czeka nas dramatyczny spadek cen układów pamięci
30 sierpnia 2011, 10:59Analitycy prognozują, że wkrótce będziemy świadkami olbrzymiego spadku cen układów pamięci DRAM. W drugim kwartale 2-gigabitowa kość DDR3 kosztowała u producenta 2,10 USD. Jeszcze w trzecim kwartale średnia cena tego typu układów może spaść do 1,60 USD, w czwartym kwartale spadek może sięgnąć kolejnych 22%, a cena kości osiągnie poziom 1,25 USD
![](/media/lib/71/samsung-logo-88311fa6a0346983ea8b35154b0a234d.jpg)
Ruszyła największa na świecie fabryka układów pamięci
23 września 2011, 10:45Samsung uruchomił największą na świecie fabrykę układów pamięci. Rozpoczęto w niej produkcję układów DDR3 DRAM z wykorzystaniem 20-nanometrowej technologii.
![](/media/lib/236/n-mrv-508633254ea54c11c6d12f5ddd77dd96.jpg)
Nowy kontroler i tańsze SSD
7 stycznia 2016, 10:31Podczas rozpoczętych właśnie targów CES 2016 Marvell zaprezentuje kontroler dla SSD, który współpracuje z protokołem NVMe v. 1.2. Protokół ten pozwala na wykorzystanie pamięci RAM komputera w roli pamięci cache SSD
![](/media/lib/93/n-chiny-aec505684101f470e09587484b316449.jpg)
Dziesiątki miliardów USD w rozwój przemysłu półprzewodnikowego
5 marca 2018, 11:09Chiński rząd chce powołać nowy fundusz, którego zadaniem będzie finansowanie rozwoju krajowego przemysłu półprzewodnikowego. China Integrated Circuit Investment Fund Co. (CICIF) dostanie do dyspozycji 200 miliardów juanów, czyli 31,5 miliarda USD